2N7002E vs 2N7002V

Esta comparação detalhada entre 2N7002E e 2N7002V fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002E

Componentes Eletrônicos Panasônicos

Lifecycle: Active
Stock: 3552 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

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Part B

2N7002V

Semiconductor Fairchild

Lifecycle: Active
Stock: 4358 PCS
Package: SOT-666
Series: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

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Full specification comparison

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Specification	2N7002E	2N7002V
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	-	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	300mA (Ta)	280mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	3Ohm @ 100mA, 10V	7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	40 pF @ 10 V	50pF @ 25V
Power - Max	-	250mW
Operating Temperature	150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	-
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.8 nC @ 4.5 V	-
Vgs(Max)	±20V	-
Power Dissipation (Max)	350mW (Ta)	-

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