2N7002NXAKR vs 2N7002E-T1-E3

Esta comparação detalhada entre 2N7002NXAKR e 2N7002E-T1-E3 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification 2N7002NXAKR 2N7002E-T1-E3
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 190mA (Ta), 300mA (Tc) 240mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5Ohm @ 100mA, 10V 3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.43 nC @ 4.5 V 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 20 pF @ 10 V 21 pF @ 5 V
Power Dissipation (Max) 265mW (Ta), 1.33W (Tc) 350mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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