2SB1188T100R vs 2SB1121T-TD-E

Esta comparação detalhada entre 2SB1188T100R e 2SB1121T-TD-E fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification 2SB1188T100R 2SB1121T-TD-E
Supplier Rohm Semiconductor onsemi
Part Status Active Active
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 2 A 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 32 V 25 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 800mV @ 200mA, 2A 600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff(Max) 1µA (ICBO) 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 180 @ 500mA, 3V 100 @ 100mA, 2V
Power - Max 2 W 500 mW
Frequency - Transition 100MHz 150MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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