70V659S12DRGI vs 70V657S10DRG8

Esta comparação detalhada entre 70V659S12DRGI e 70V657S10DRG8 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification 70V659S12DRGI 70V657S10DRG8
Supplier - Renesas Electronics America Inc
Part Status Active Obsolete
Memory Type Volatile Volatile
Memory Format SRAM SRAM
Technology SRAM - Dual Port, Asynchronous SRAM - Dual Port, Asynchronous
Memory Size 4.5Mb (128K x 36) 1.125Mb (32K x 36)
Memory Interface Parallel Parallel
Write Cycle Time - Word Page 12ns 10ns
Access Time 12 ns 10 ns
Voltage - Supply 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount