AUIRF2804STRL vs AUIRF5210S Comparação
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Especificações
Pacote
TO-263-3
TO-263-3
Descrição
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
195A (Tc)
38A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
2mOhm @ 75A, 10V
60mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
230 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
6450 pF @ 25 V
2780 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
3.1W (Ta), 170W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
