BC817-25LT1G vs BC817UPNB6327XT

Esta comparação detalhada entre BC817-25LT1G e BC817UPNB6327XT fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification BC817-25LT1G BC817UPNB6327XT
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Transistor Type NPN NPN, PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 500 mA 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 700mV @ 50mA, 500mA 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 160 @ 100mA, 1V 160 @ 100mA, 1V
Power - Max 300 mW 330mW
Frequency - Transition 100MHz 170MHz
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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