BC847BTT1G vs BC847AT,115

Esta comparação detalhada entre BC847BTT1G e BC847AT,115 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification BC847BTT1G BC847AT,115
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC NXP USA Inc.,Rochester Electronics, LLC
Series - Automotive, AEC-Q101
Part Status Active Obsolete
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V 110 @ 2mA, 5V
Power - Max 225 mW 150 mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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