BC847CDW1T1G vs BC847BPNHF

Esta comparação detalhada entre BC847CDW1T1G e BC847BPNHF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification BC847CDW1T1G BC847BPNHF
Supplier onsemi Nexperia USA Inc.
Part Status Active Obsolete
Transistor Type 2 NPN (Dual) NPN, PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45V 45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 420 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V
Power - Max 380mW 270mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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