BC856BLT1G vs BC856BDW1T3

Esta comparação detalhada entre BC856BLT1G e BC856BDW1T3 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC856BLT1G

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 5949 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistores - Bipolares (BJT) - Single

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Part B

BC856BDW1T3

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 5795 PCS
Package: SC-88
Series: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays

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Full specification comparison

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Specification	BC856BLT1G	BC856BDW1T3
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	2 PNP (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	65 V	65V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	220 @ 2mA, 5V	220 @ 2mA, 5V
Power - Max	300 mW	380mW
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	-

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