BC857BDW1T1G vs BC857BDW1T1

Esta comparação detalhada entre BC857BDW1T1G e BC857BDW1T1 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine

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Specification BC857BDW1T1G BC857BDW1T1
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type 2 PNP (Dual) -
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 650mV @ 5mA, 100mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 220 @ 2mA, 5V -
Power - Max 380mW -
Frequency - Transition 100MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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