BC857BLT1G vs BC857BS

Esta comparação detalhada entre BC857BLT1G e BC857BS fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

BC857BS

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
1435 PCS
Package
SOT-363
Series
Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays

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Specification BC857BLT1G BC857BS
Part Status Active Active
Transistor Type PNP 2 PNP (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 650mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V
Power - Max 300 mW 300mW
Frequency - Transition 100MHz 200MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount