BCP56T1G vs BCP56-10115

Esta comparação detalhada entre BCP56T1G e BCP56-10115 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification BCP56T1G BCP56-10115
Part Status Active Active
Transistor Type NPN -
Current - Collector(Ic)(Max) 1 A -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 50mA, 500mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 40 @ 150mA, 2V -
Power - Max 1.5 W -
Frequency - Transition 130MHz -
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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