BSS138NH6327XTSA2
Tecnologias Infineon
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 4345 PCS
- Package
- PG-SOT23-3
- Series
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Esta comparação detalhada entre BSS138NH6327XTSA2 e BSS138 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.
Tecnologias Infineon
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | BSS138NH6327XTSA2 | BSS138 |
|---|---|---|
| Series | SIPMOS® | - |
| Part Status | Active | Active |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | 50 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 230mA (Ta) | 340mA (Ta) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 3.5Ohm @ 230mA, 10V | 2.5Ohm @ 300mA, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1.4V @ 26µA | 1.6V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 10 V | 1.7 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 41 pF @ 25 V | 28.5 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) | 350mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |