BYG10M-E3/TR vs BYG10J Comparação
Esta comparação detalhada entre BYG10M-E3/TR e BYG10J fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
DO-214AC
DO-214AC
Descrição
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
ST Rect, 600V, 1.5A
Supplier
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DComponents
Part Status
Active
Active
Diode Type
Avalanche
Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1000 V
600 V
Current - Average Rectified(Io)
1.5A
1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.15 V @ 1.5 A
1.15 V @ 1.5 A
Speed
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
4 µs
1.5 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr
1 µA @ 1000 V
5 µA @ 600 V
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Relacionado
4402 PCS
4063 PCS
8276 PCS
5945 PCS
