CSD16409Q3 vs CSD16321Q5 Comparação

Esta comparação detalhada entre CSD16321Q5 e CSD16409Q3 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
CSD16321Q5

+Lista de Materiais

7266 PCS | Texas Instruments
CSD16409Q3

+Lista de Materiais

6361 PCS | Texas Instruments
Pacote TDFN-8 TDFN-8
Descrição MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V 25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 31A (Ta), 100A (Tc) 15A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 3V, 8V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.4mOhm @ 25A, 8V 8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.4V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) +10V, -8V +16V, -12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3100 pF @ 12.5 V 800 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta) 2.6W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : CSD16321Q5 CSD16409Q3

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