CSD16413Q5A vs CSD16409Q3

Esta comparação detalhada entre CSD16413Q5A e CSD16409Q3 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification CSD16413Q5A CSD16409Q3
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V 25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 24A (Ta), 100A (Tc) 15A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.9mOhm @ 24A, 10V 8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.9V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 11.7 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) +16V, -12V +16V, -12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1780 pF @ 12.5 V 800 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta) 2.6W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount