CSD16570Q5B vs CSD16415Q5

Esta comparação detalhada entre CSD16570Q5B e CSD16415Q5 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification CSD16570Q5B CSD16415Q5
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V 25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 100A (Ta) 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 0.59mOhm @ 50A, 10V 1.15mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.9V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 29 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V +16V, -12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 14000 pF @ 12 V 4100 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 195W (Tc) 3.2W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ