CSD17303Q5 vs CSD17556Q5B Comparação
Esta comparação detalhada entre CSD17303Q5 e CSD17556Q5B fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
TDFN-8
Descrição
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
34A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
1.4mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
1.65V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
39 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
7020 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
3.2W (Ta)
3.1W (Ta), 191W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
+10V, -8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3420 pF @ 15 V
-
Packaging
Bulk
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