DG211BDY-T1-E3 vs DG211CY Comparação

Esta comparação detalhada entre DG211BDY-T1-E3 e DG211CY fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
DG211BDY-T1-E3

+Lista de Materiais

2205 PCS | Vishay Siliconix
DG211CY

+Lista de Materiais

4893 PCS | Renesas Electronics America Inc.
Pacote SOIC-16 SOIC-16
Descrição IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
Supplier - Renesas Electronics America Inc
Part Status Active Obsolete
Switch Circuit SPST - NC SPST - NC
Multiplexer / Demultiplexer Circuit 1:1 1:1
Number of Circuits 4 4
On - State Resistance(Max) 85Ohm 175Ohm
Voltage - Supply, Dual (V±) ±4.5V ~ 22V ±15V
Switch Time(Ton Toff)(Max) 300ns, 200ns 460ns, 450ns
Channel Capacitance(CS(off)CD(off)) 5pF, 5pF 5pF, 5pF
Current - Leakage(IS(off))(Max) 500pA 5nA
Crosstalk -95dB @ 100kHz -90dB @ 100kHz
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Channel - to - Channel Matching(ΔRon) 2Ohm -
Voltage - Supply, Single (V+) 4.5V ~ 25V -
Charge Injection 1pC -
Modelo de comparação : DG211BDY-T1-E3 DG211CY

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