DTA114YET1G vs DTA114EUA

Esta comparação detalhada entre DTA114YET1G e DTA114EUA fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part B

DTA114EUA

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
8284 PCS
Package
SOT-323
Series
Transistores - Bipolares (BJT) - Single, Pre-Biased
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Specification DTA114YET1G DTA114EUA
Supplier onsemi Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Part Status Active Active
Transistor Type PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50 V
Resistor - Base(R1) 10 kOhms 10 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 47 kOhms 10 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 80 @ 5mA, 10V 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 100nA
Power - Max 200 mW 200 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Frequency - Transition - 250 MHz
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