FDC6333C vs FDC638P
Esta comparação detalhada entre FDC638P e FDC6333C fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
SSOT-6
Descrição
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
-
Base Product Number
FDC638
-
FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
±8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1160 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
1.6W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N and P-Channel
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
2.5A, 2A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
6.6nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
282pF @ 15V
Power-Max
-
700mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
