FDG6306P vs FDG6317NZ

Esta comparação detalhada entre FDG6306P e FDG6317NZ fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification FDG6306P FDG6317NZ
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
FET Type 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 600mA 700mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 420mOhm @ 600mA, 4.5V 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V 1.1nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 114pF @ 10V 66.5pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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