FDG6321C vs FDG6302P

Esta comparação detalhada entre FDG6321C e FDG6302P fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification FDG6321C FDG6302P
Supplier onsemi onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 500mA, 410mA 140mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V 0.31nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 50pF @ 10V 12pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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