FDMS8018 vs FDMS86101 Comparação

Esta comparação detalhada entre FDMS8018 e FDMS86101 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote TDFN-8
Descrição MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 55 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 3000 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDMS80 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta), 120A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 30A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5235 pF @ 15 V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Modelo de comparação : FDMS8018 FDMS86101

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