FDMS86163P vs FDMS8050ET30

Esta comparação detalhada entre FDMS86163P e FDMS8050ET30 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote PowerTDFN-8 PowerTDFN-8
Descrição MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Not For New Designs
FETType P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.9A (Ta), 50A (Tc) 55A (Ta), 423A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 22mOhm @ 7.9A, 10V 0.65mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 3V @ 750µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 59 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4085 pF @ 50 V 22610 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 3.3W (Ta), 180W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : FDMS86163P FDMS8050ET30

+Lista de Materiais RFQ