FDMS86500L vs FDMS8018
Esta comparação detalhada entre FDMS8018 e FDMS86500L fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
PowerTDFN-8
Descrição
MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
-
Base Product Number
FDMS80
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta), 120A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5235 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
25A (Ta), 80A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
2.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
165 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
12530 pF @ 30 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta), 104W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
