FDV301N vs FDV302P
Esta comparação detalhada entre FDV302P e FDV301N fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
SOT23-3
Descrição
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDV30
-
FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.31 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
-8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
350mW (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
220mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
2.7V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.06V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
9.5 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max)
-
350mW (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
