FGH40T120SMD vs FGH40T65UPD Comparação

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Especificações
FGH40T120SMD

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2036 PCS | Semiconductor Fairchild
Pacote TO-247 TO-247-3
Descrição INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Supplier - Rochester Electronics, LLC,onsemi
Part Status Active Obsolete
IGBT Type Trench Field Stop Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 650 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 80 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 160 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.4V @ 15V, 40A 2.3V @ 15V, 40A
Power - Max 555 W 268 W
Switching Energy 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) 1.59mJ (on), 580µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 370 nC 177 nC
Td(on / off) @ 25°C 40ns/475ns 20ns/144ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V 400V, 40A, 7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 65 ns 43 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Modelo de comparação : FGH40T120SMD FGH40T65UPD

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