GD25LQ64ESIGR vs GD25LD80CTIG Comparação

Esta comparação detalhada entre GD25LQ64ESIGR e GD25LD80CTIG fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
GD25LQ64ESIGR

+Lista de Materiais

3762 PCS | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD80CTIG

+Lista de Materiais

5727 PCS | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Pacote SOIC-8 SOIC-8
Descrição 64MBIT NOR FLASH /1.8V /SOP8 208 IC FLASH 8MBIT SPI/DUAL I/O 8SOP
Part Status Active Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 64Mb (8M x 8) 8Mb (1M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Dual I/O
Clock Frequency 133 MHz 50 MHz
Write Cycle Time - Word Page 60µs, 2.4ms 60µs, 6ms
Voltage - Supply 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Access Time 7 ns -
Modelo de comparação : GD25LQ64ESIGR GD25LD80CTIG

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