GD25Q80ESIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 6421 PCS
- Package
- SOIC-8
- Series
- Memória
Esta comparação detalhada entre GD25Q80ESIGR e GD25Q40CTIGR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | GD25Q80ESIGR | GD25Q40CTIGR |
|---|---|---|
| Part Status | Active | Not For New Designs |
| Memory Type | Non-Volatile | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| Memory Size | 8Mb (1M x 8) | 4Mb (512K x 8) |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O |
| Clock Frequency | 133 MHz | 104 MHz |
| Write Cycle Time - Word Page | 70µs, 2ms | 50µs, 2.4ms |
| Access Time | 7 ns | - |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |