IR2101S vs IR2101SPBF Comparação

Esta comparação detalhada entre IR2101S e IR2101SPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IR2101S

+Lista de Materiais

7072 PCS | Tecnologias Infineon
IR2101SPBF

+Lista de Materiais

7378 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC 8N
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Obsolete Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 3V
Current - Peak Output(Source Sink) - 210mA, 360mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 100ns, 50ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number IR2101 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Logic Voltage - VIL, VIH 0.8V, 3V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 210mA, 360mA -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 100ns, 50ns -
Packaging Tube -
Modelo de comparação : IR2101S IR2101SPBF

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