IR2104PBF vs IR2109PBF

Esta comparação detalhada entre IR2109PBF e IR2104PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IR2109PBF

+Lista de Materiais

2581 PCS | Tecnologias Infineon
IR2104PBF

+Lista de Materiais

1701 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote PDIP8 PDIP8
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
ProductStatus Not For New Designs Not For New Designs
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Synchronous Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.9V 0.8V, 3V
Current-PeakOutput(SourceSink) 200mA, 350mA 210mA, 360mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 150ns, 50ns 100ns, 50ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modelo de comparação : IR2109PBF IR2104PBF

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