IR2110 vs IR2112-2PBF Comparação

Esta comparação detalhada entre IR2110 e IR2112-2PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IR2110

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7686 PCS | Tecnologias Infineon
IR2112-2PBF

+Lista de Materiais

3108 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote DIP-14 DIP-16
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16DIP
Part Status Obsolete Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge High-Side or Low-Side
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2A 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 500 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Modelo de comparação : IR2110 IR2112-2PBF

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