IR2110SPBF vs IR2111S

Esta comparação detalhada entre IR2110SPBF e IR2111S fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IR2110SPBF

+Lista de Materiais

7475 PCS | Tecnologias Infineon
IR2111S

+Lista de Materiais

9682 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC 16W SOIC-8
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
Current-PeakOutput(SourceSink) 2A, 2A 250mA, 500mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 500 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IR2110SPBF IR2111S

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