IR2112STRPBF vs IR2112STR

Esta comparação detalhada entre IR2112STRPBF e IR2112STR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IR2112STRPBF

+Lista de Materiais

3055 PCS | Tecnologias Infineon
IR2112STR

+Lista de Materiais

8698 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC 16W SOIC W-16
Descrição IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IR2112STRPBF IR2112STR

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