IR2130S vs IR2135STR Comparação

Esta comparação detalhada entre IR2130S e IR2135STR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IR2130S

+Lista de Materiais

1260 PCS | Tecnologias Infineon
IR2135STR

+Lista de Materiais

3009 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC-28 SOIC-28
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Part Status Obsolete Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type 3-Phase 3-Phase
Number of Drivers 6 6
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Input Type Inverting Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 80ns, 35ns 90ns, 40ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IR2130S IR2135STR

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