IR2301STRPBF vs IR2301STR

Esta comparação detalhada entre IR2301STRPBF e IR2301STR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IR2301STRPBF

+Lista de Materiais

6145 PCS | Tecnologias Infineon
IR2301STR

+Lista de Materiais

2172 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC-8 SOIC-8
Descrição IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 5V ~ 20V 5V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.9V
Current-PeakOutput(SourceSink) 200mA, 350mA 200mA, 350mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 130ns, 50ns 130ns, 50ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IR2301STRPBF IR2301STR

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