IRF1404ZPBF
Tecnologias Infineon
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 6484 PCS
- Package
- TO-220
- Series
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Esta comparação detalhada entre IRF1404ZPBF e IRF1404PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.
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| Specification | IRF1404ZPBF | IRF1404PBF |
|---|---|---|
| Series | HEXFET® | HEXFET® |
| Part Status | Active | Active |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V | 40 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 180A (Tc) | 202A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 3.7mOhm @ 75A, 10V | 4mOhm @ 121A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | 196 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 4340 pF @ 25 V | 5669 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) | 333W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |