IRF1404PBF vs IRF1404ZPBF
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Especificações
Pacote
TO-220
TO-220
Descrição
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40 V
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
180A (Tc)
202A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
4mOhm @ 121A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
150 nC @ 10 V
196 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4340 pF @ 25 V
5669 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
200W (Tc)
333W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
