IRF530PBF vs IRF5305PBF
Esta comparação detalhada entre IRF5305PBF e IRF530PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
TO220
TO-220-3
Descrição
MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Series
HEXFET®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
31A (Tc)
14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
60mOhm @ 16A, 10V
160mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
63 nC @ 10 V
26 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1200 pF @ 25 V
670 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
110W (Tc)
88W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
