IRF7103TRPBF vs IRF7101TRPBF

Esta comparação detalhada entre IRF7103TRPBF e IRF7101TRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRF7103TRPBF

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3890 PCS | Tecnologias Infineon
IRF7101TRPBF

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4760 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC-8 SOIC-8
Descrição MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 50V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3A 3.5A
RdsOn(Max)@IdVgs 130mOhm @ 3A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 30nC @ 10V 15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 290pF @ 25V 320pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IRF7103TRPBF IRF7101TRPBF

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