IRF7389TRPBF vs IRF7341GTRPBF

Esta comparação detalhada entre IRF7389TRPBF e IRF7341GTRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRF7389TRPBF IRF7341GTRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 55V
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 33nC @ 10V 44nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 650pF @ 25V 780pF @ 25V
Power - Max 2.5W 2.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 5.1A
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