IRF7380PBF vs IRF7301PBF

Esta comparação detalhada entre IRF7380PBF e IRF7301PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRF7380PBF

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3152 PCS | Tecnologias Infineon
IRF7301PBF

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7366 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Descrição MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Discontinued at Digi-Key
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 80V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.6A 5.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 73mOhm @ 2.2A, 10V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 23nC @ 10V 20nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 660pF @ 25V 660pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IRF7380PBF IRF7301PBF

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