IRF7404TRPBF vs IRF7493TRPBF Comparação
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Especificações
Pacote
SOIC-8
SOIC-8
Descrição
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
6.7A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
2.7V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
15mOhm @ 5.6A, 10V
40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
50 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1510 pF @ 25 V
1500 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Tc)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
