IRF7470TRPBF vs IRF7416TRPBF
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Especificações
Pacote
SOIC-8
SOIC-8
Descrição
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
10A (Ta)
10A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
2.8V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
20mOhm @ 5.6A, 10V
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
92 nC @ 10 V
44 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1700 pF @ 25 V
3430 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
