IRF9388TRPBF vs IRF9310PBF

Esta comparação detalhada entre IRF9310PBF e IRF9388TRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRF9310PBF

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4563 PCS | Tecnologias Infineon
IRF9388TRPBF

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1405 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SO-8 SO-8
Descrição MOSFET P-CH 30V 20A 8SO MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A (Tc) 12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 10V, 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 4.6mOhm @ 20A, 10V 8.5mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 2.4V @ 100µA 2.4V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 165 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5250 pF @ 15 V 1680 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IRF9310PBF IRF9388TRPBF

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