IRF9393TRPBF vs IRF9317TRPBF
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Especificações
Pacote
SOIC-8
SOIC-8
Descrição
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
9.2A (Ta)
16A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V, 20V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
13.3mOhm @ 9.2A, 20V
6.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2.4V @ 25µA
2.4V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
38 nC @ 10 V
92 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±25V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1110 pF @ 25 V
2820 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
