IRF9530NPBF vs IRF9540NPBF
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Especificações
Pacote
TO-220-3
TO-220-3
Descrição
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
23A (Tc)
14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
117mOhm @ 11A, 10V
200mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
97 nC @ 10 V
58 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1300 pF @ 25 V
760 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
140W (Tc)
79W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
