IRFB3207PBF vs IRFB3307ZPBF

Esta comparação detalhada entre IRFB3207PBF e IRFB3307ZPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification IRFB3207PBF IRFB3307ZPBF
Series HEXFET® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 170A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V -
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Mounting Type Through Hole -
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