IRFB4019PBF vs IRFB4115PBF Comparação

Esta comparação detalhada entre IRFB4115PBF e IRFB4019PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRFB4115PBF

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3757 PCS | Tecnologias Infineon
IRFB4019PBF

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6417 PCS | Rectificador Internacional
Pacote TO-220 TO-220-3
Descrição MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V 150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 104A (Tc) 17A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 11mOhm @ 62A, 10V 95mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4.9V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V 800 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 380W (Tc) 80W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Modelo de comparação : IRFB4115PBF IRFB4019PBF

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