IRFB4110PBF vs IRFB4020PBF

Esta comparação detalhada entre IRFB4110PBF e IRFB4020PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification IRFB4110PBF IRFB4020PBF
Series HEXFET® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc) 18A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V 100mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4.9V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9620 pF @ 50 V 1200 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 370W (Tc) 100W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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